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Epitaxy in French : épitaxie

Translations of « epitaxy » in French

Most common translation : épitaxie Ecouter

Noun

epitaxy (sans pluriel)

  1. Épitaxie.

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Examples of usage of « epitaxy » in English / French

  • About RIBERRIBER is the global market leader for MBE - molecular beam epitaxy - equipment.
    À propos de RIBERRIBER est le leader mondial du marchĂ© des Ă©quipements MBE (Ă©pitaxie par faisceau molĂ©culaire). , RIBER: Order for a MBE research machine in Europe | MarketScreener
  • The group now expects practically stable quarter-on-quarter sales in October-December at 600 million euros to 630 million euros, including the contribution from silicon carbide epitaxy equipment business LPE, acquired by ASMI on Oct.
    Le groupe s'attend désormais à des ventes pratiquement stables pour le trimestre octobre-décembre, entre 600 et 630 millions d'euros, y compris la contribution de la société LPE, spécialisée dans les équipements d'épitaxie du carbure de silicium, acquise par ASMI en octobre. euronews, ASMI expects Chinese sales to drop 40% on U.S. chip sanctions | Euronews
  • For instance, IVWorks, South Korea, makes GaN epitaxial wafers a crucial component of DC power devices and 5G communication devices by using deep learning-based artificial intelligence (AI) epitaxy technology, further attracting a US$ 6.
    Par exemple, IVWorks, en Corée du Sud, fabrique des tranches épitaxiées de GaN, un composant crucial des dispositifs d'alimentation en courant continu et des dispositifs de communication 5G, en utilisant une technologie d'épitaxie d'intelligence artificielle (IA) basée sur l'apprentissage profond, attirant ainsi 6 USD. , Asia Pacific Silicon EPI Wafer Market Report 2022: Rising Demand for Epitaxial Wafers in Consumer Electronics Boosts Growth
  • Epitaxial deposition and process equipment maker Veeco Instruments Inc of Plainview, NY, USA has received an order from Justus Liebig University Giessen (University of Giessen) in Germany for an integrated GENxplor R&D molecular beam epitaxy (MBE) and Fiji atomic layer deposition (ALD) system.
    Le fabricant d'Ă©quipements de dĂ©pĂŽt Ă©pitaxial et de traitement Veeco Instruments Inc. de Plainview, NY, États-Unis, a reçu une commande de l'UniversitĂ© Justus Liebig de Giessen (UniversitĂ© de Giessen) en Allemagne pour un systĂšme intĂ©grĂ© GENxplor R , Veeco’s new integrated MBE and ALD system chosen for hybrid GaN deposition research
  • “Together with LPE we look forward to capturing many of the opportunities in the high-growth silicon carbide epitaxy market and to support our power electronics customers with innovative solutions, driving the further electrification of the automotive industry.
    "Avec LPE, nous sommes impatients de saisir de nombreuses opportunités sur le marché à forte croissance de l'épitaxie du carbure de silicium et de soutenir nos clients de l'électronique de puissance avec des solutions innovantes, favorisant la poursuite de l'électrification de l'industrie automobile. , ASM COMPLETES ACQUISITION OF LPE
  • “With the acquisition of the Nanosys microLED development facilities we will be in an excellent position to further advance epitaxy, device process and transfer technology and achieve even lower energy and higher data rates per lane.
    "Avec l'acquisition des installations de dĂ©veloppement de microLED de Nanosys, nous serons dans une excellente position pour faire progresser l'Ă©pitaxie, le processus des dispositifs et la technologie de transfert et atteindre une Ă©nergie encore plus faible et des dĂ©bits de donnĂ©es plus Ă©levĂ©s par voie. EENewsEurope, Avicena buys glƍ microLED fab for optical chiplets ...
  • To study these properties, a team of researchers has built a laboratory around molecular beam epitaxy (MBE), a process that creates ultra-thin layers of materials with a high degree of purity and control.  
    Pour étudier ces propriétés, une équipe de chercheurs a construit un laboratoire autour de l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), un procédé qui permet de créer des couches ultrafines de matériaux avec un haut degré de pureté et de contrÎle. EurekAlert!, New laboratory to explore the quantum mysteri | EurekAlert!
  • "Growing aluminum nitride on native substrates using molecular beam epitaxy has been hampered by difficulties with the removal of native oxides and other chemical impurities on aluminum-nitride wafers," Cho said, "which lead to polarity inversion and defect formation at the growth interface.
    "La croissance du nitrure d'aluminium sur des substrats natifs à l'aide de l'épitaxie par faisceau moléculaire a été entravée par des difficultés liées à l'élimination des oxydes natifs et d'autres impuretés chimiques sur les tranches de nitrure d'aluminium", a déclaré M. Cho, "ce qui entraßne une inversion de polarité et la formation de défauts à l'interface de croissance. , New cleaning technique boosts electronic and photonic prospects of aluminum nitride
  • These results not only expand the understanding of heteroepitaxy, but also open a pathway for the applications of devices based on complex oxides.
    Ces résultats permettent non seulement de mieux comprendre l'hétéroépitaxie, mais aussi d'ouvrir une voie pour les applications de dispositifs basés sur des oxydes complexes. Nature, Highly heterogeneous epitaxy of flexoelectric BaTiO3-Ύ membrane on Ge | Nature Communications
  • The Facility, which is led by Sheffield, aims to build on more than 40 years semiconductor and epitaxy research in the University’s Department of Electronic and Electrical Engineering.
    L'installation, qui est dirigée par Sheffield, vise à tirer parti de plus de 40 ans de recherche sur les semi-conducteurs et l'épitaxie au sein du département d'ingénierie électronique et électrique de l'université. Electronics Weekly, UKRI funding boost for semiconductor R&D at National Epitaxy Facility
  • Aljarb, A. et al. Ledge-directed epitaxy of continuously self-aligned single-crystalline nanoribbons of transition metal dichalcogenides. Nat. Mater. 19, 1300–1306 (2020).
    Aljarb, A. et al. Ledge-directed epitaxy of continuously self-aligned single-crystalline nanoribbons of transition metal dichalcogenides. Nat. Mater. 19, 1300-1306 (2020). Nature, Uniform nucleation and epitaxy of bilayer molybdenum disulfide on sapphire | Nature
  • “In this project, we target high voltage power devices using van der Waals epitaxy of Gallium Oxide to open a new research field for low cost high voltage power devices, to enable a zero carbon emission society and dramatically reduce our energy waste.
    "Dans ce projet, nous ciblons les dispositifs de puissance à haute tension en utilisant l'épitaxie de van der Waals de l'oxyde de gallium pour ouvrir un nouveau champ de recherche pour les dispositifs de puissance à haute tension à faible coût, pour permettre une société à zéro émission de carbone et réduire considérablement notre gaspillage d'énergie. , September: Gallium Oxide funding | News and features | University of Bristol
  • LPE SpA of Milan, Italy, which designs and makes epitaxial reactors for power electronics applications, and the Institute of Microelectronics (IME) at the Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) have announced a research collaboration to develop high-quality 200mm silicon carbide (SiC) and specialty epitaxy processes including enhanced growth rates with improved uniformity.
    LPE SpA de Milan, en Italie, qui conçoit et fabrique des rĂ©acteurs Ă©pitaxiaux pour des applications d'Ă©lectronique de puissance, et l'Institute of Microelectronics (IME) de l'Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) ont annoncĂ© une collaboration de recherche pour dĂ©velopper des procĂ©dĂ©s d'Ă©pitaxie de carbure de silicium (SiC) et de spĂ©cialitĂ©s de 200 mm de haute qualitĂ©, notamment des taux de croissance accrus avec une meilleure uniformitĂ©. , LPE and A*STAR’s IME to develop high-quality 200mm SiC and specialty epitaxy processes
  • ASM is a pioneer in the industry and is active in several parts of wafer processing, including lithography, deposition, ion implant, and single-wafer epitaxy.
    ASM est un pionnier dans le secteur et est actif dans plusieurs parties du traitement des plaquettes, notamment la lithographie, le dépÎt, l'implantation ionique et l'épitaxie à plaquette unique. SeekingAlpha, ASM International: A Strong Semiconductor Play (OTCMKTS:ASMIY) | Seeking Alpha
  • Dong, J., Zhang, L. N., Dai, X. Y. & Ding, F. The epitaxy of 2D materials growth. Nat. Commun. 11, 5862 (2020).
    Dong, J., Zhang, L. N., Dai, X. Y. Nature, Epitaxial single-crystal hexagonal boron nitride multilayers on Ni (111) | Nature
  • BUFFALO, N.Y. — Scientists have grown thin films of two different crystalline materials on top of each other using an innovative technique called “dative epitaxy.” The researchers discovered the method by surprise.
    BUFFALO, N.Y. - Des scientifiques ont fait croĂźtre des films minces de deux matĂ©riaux cristallins diffĂ©rents l'un sur l'autre en utilisant une technique innovante appelĂ©e "Ă©pitaxie dative". Les chercheurs ont dĂ©couvert cette mĂ©thode par surprise. , ‘Dative epitaxy’: A new way to stack crystal films - University at Buffalo
  • SweGaN reckons that the performance of its GaN epitaxy process opens up new applications in the multi-billion-dollar GaN-based radio frequency (RF) and power markets.
    SweGaN estime que les performances de son procĂ©dĂ© d'Ă©pitaxie du GaN ouvrent de nouvelles applications sur les marchĂ©s de la radiofrĂ©quence (RF) et de l'Ă©nergie basĂ©s sur le GaN, qui reprĂ©sentent plusieurs milliards de dollars. , SweGaN raises €12m in Series A financing to expand production capacity
  • Lee’s innovation in materials synthesis, called remote epitaxy, enables fabrication of a high-quality, free-standing semiconductor film, meaning any given material layer can be designed with unique properties, independent of the material layers in which it is sandwiched.
    L'innovation de M. Lee dans la synthĂšse des matĂ©riaux, appelĂ©e Ă©pitaxie Ă  distance, permet de fabriquer un film semi-conducteur autonome de haute qualitĂ©, ce qui signifie qu'une couche de matĂ©riau donnĂ©e peut ĂȘtre conçue avec des propriĂ©tĂ©s uniques, indĂ©pendamment des couches de matĂ©riau dans lesquelles elle est prise en sandwich. HPCwire, UVA Researcher’s New Sensor System for IoT Devices Integrates Processing and Computing
  • Based on this, an alternative epitaxial growth approach for wafer-scale TMDs single crystals is proposed by merging these uniformly aligned monolayer ribbons through a unique 1D edge-epitaxy mode.
    Sur cette base, une approche alternative de croissance épitaxiale pour les monocristaux de TMD à l'échelle de la tranche est proposée en fusionnant ces rubans monocouches uniformément alignés par un mode unique d'épitaxie par le bord 1D. Nature, Epitaxial growth of inch-scale single-crystal transition metal dichalcogenides through the patching of unidirectionally orientated ribbons | Nature Communications
  • Ma, W. et al. Interlayer epitaxy of wafer-scale high-quality uniform AB-stacked bilayer graphene films on liquid Pt3Si/solid Pt. Nat. Commun. 10, 2809 (2019).
    Ma, W. et al. Épitaxie intercouche de films de graphĂšne bicouche empilĂ©s AB uniformes de haute qualitĂ© Ă  l'Ă©chelle de la tranche sur du Pt3Si liquide/du Pt solide. Nat. Commun. 10, 2809 (2019). Nature, Mechanisms of the epitaxial growth of two-dimensional polycrystals | npj Computational Materials
  • In this work, AlN growth at 1500 °C by a stable vapor phase reaction has been achieved by jet stream gas flow metal–organic vapor phase epitaxy.
    Dans ce travail, la croissance d'AlN Ă  1500 °C par une rĂ©action stable en phase vapeur a Ă©tĂ© rĂ©alisĂ©e par Ă©pitaxie en phase vapeur organo-mĂ©tallique Ă  flux gazeux. Nature, Reduction of parasitic reaction in high-temperature AlN growth by jet stream gas flow metal–organic vapor phase epitaxy | Scientific Reports

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